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IMZA120R030M1H中文资料CoolSiC ™ 1200 V、30 mΩ SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO-247-4 封装数据手册Infineon规格书
IMZA120R030M1H规格书详情
描述 Description
采用 TO-247-4 封装的 CoolSiC ™ 1200 V、30 mΩ SiC MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅基开关相比，SiC 功率 MOSFET 具有一系列优势。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。CoolSiC™ MOSFET 单管非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。/>我们的 TO-247 4 针封装 SiC MOSFET 减少了寄生源电感对栅极电路的影响，从而实现了更快的开关和更高的效率。
特性 Features
• 同类最佳的开关损耗
• 同类最佳的传导损耗
• 基准高阈值电压
• Vth > 4 V
可应用0V关断栅极电压
• 宽栅极-源极电压范围
• 用于硬换向的坚固二极管
• 温度。印第安纳州关断开关损耗
• .XT互连技术
应用 Application
• 电池化成和测试
技术参数
- 制造商编号
：IMZA120R030M1H
- 生产厂家
：Infineon
- Coss
：99 pF
- ID (@25°C) max
：70 A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：273 W
- Qgd
：15 nC
- QG
：52 nC
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：30 mΩ
- RthJAmax
：62 K/W
- RthJCmax
：0.55 K/W
- Tjmax
：175 °C
- VDSmax
：1200 V
- Mounting
：THT
- Package
：TO-247-4
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Pin Count
：4 Pins
- Technology
：CoolSiC™ G1
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-247-3 |
20000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO2474 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25 |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-4-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-4-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
