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IMZA120R007M1H	文件：1.35906 Mbytes Page：16 Pages	CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=225AatTvj=25°C •RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied •Robustbodydiodefor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features •VDSS=1200VatTvj=25°C •IDCC=225AatTvj=25°C •RDS(on)=7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V •Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagecanbeapplied •Robustbodydiodefor

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