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厂商型号

IMWH170R1K0M1

功能描述

CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET

丝印标识

170M11K0

封装外壳

PG-TO247-3-STD-NN4.8

文件大小

1.34558 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-19 15:01:00

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IMWH170R1K0M1规格书详情

特性 Features

• VDSS = 1700 V at Tvj = 25°C

• IDDC = 5.4 A at TC = 25°C

• RDS(on) = 1000 mΩ at VGS = 12 V, Tvj = 25°C

• Optimized for fly-back topologies

• 12 V / 0 V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers

• Very low switching losses

• Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

• Fully controllable dv/dt for EMI optimization

• .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
Amphenol PCD
25+
25
原厂现货渠道
询价
INFINEON
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
询价
鑫远鹏
25+
NA
5000
价优秒回原装现货
询价
INFINEON
24+
con
2500
优势库存,原装正品
询价