首页>IMW65R039M1H>规格书详情
IMW65R039M1H数据手册Infineon中文资料规格书
IMW65R039M1H规格书详情
描述 Description
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。IMW65R039M1H CoolSiC ™ MOSFET 650V 采用最先进的沟槽半导体制造，经过优化，可在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最高可靠性。该款 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，具有高性价比。
特性 Features
• 第一代 CoolSiC ™
• 栅极电荷低
• COSS中存储能量低
• Qrr
• 平坦 COSS
• 平坦 RDS(on) 随温度变化
应用 Application
• 48 V 配电
技术参数
- 制造商编号
：IMW65R039M1H
- 生产厂家
：Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：39 mΩ
- VDSmax
：650 V
- Package
：TO247
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G1
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
- |
4945 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
