首页>IMW65R026M2H>规格书详情
IMW65R026M2H数据手册Infineon中文资料规格书
IMW65R026M2H规格书详情
描述 Description
采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、26 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
特性 Features
• 优异的品质因数 (FOM)
• 同类最佳的 RDS(on)
• 高稳健性和整体质量
• 灵活的驱动电压范围
• 支持单极驱动 (VGSoff=0)
• 对开启效应具有最佳免疫力
• 改进了与 .XT 的封装互连
应用 Application
• 储能系统
技术参数
- 制造商编号
:IMW65R026M2H
- 生产厂家
:Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
:26 mΩ
- RthJCmax
:0.87 K/W
- VDSmax
:650 V
- Package
:TO247
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Technology
:CoolSiC™ G2
- Polarity
:N
- Qualification
:Industrial
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO247-3 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-247 |
1680 |
全新原装 |
询价 | ||
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
8000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |