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IMW65R026M2H数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IMW65R026M2H

功能描述

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2,采用 TO-247-3 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-13 20:00:00

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IMW65R026M2H规格书详情

描述 Description

采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、26 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性 Features

• 优异的品质因数 (FOM)

• 同类最佳的 RDS(on)

• 高稳健性和整体质量

• 灵活的驱动电压范围

• 支持单极驱动 (VGSoff=0)

• 对开启效应具有最佳免疫力

• 改进了与 .XT 的封装互连

应用 Application

• 储能系统

技术参数

  • 制造商编号

    :IMW65R026M2H

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :26 mΩ

  • RthJCmax

    :0.87 K/W

  • VDSmax

    :650 V

  • Package

    :TO247

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ G2

  • Polarity

    :N

  • Qualification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
NA/
8735
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Infineon
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PG-TO247-3
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