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IMW120R040M1H中文资料CoolSiC ™ 1200 V、40 mΩ SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO247-3 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMW120R040M1H

功能描述

CoolSiC ™ 1200 V、40 mΩ SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO247-3 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:08:00

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IMW120R040M1H规格书详情

特性 Features


优势:
• Highest efficiency
• Reduced cooling effort
• Higher frequency operation
• Increased power density
• Reduced system complexity

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