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IMLT65R040M2H中文资料采用 TOLT 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMLT65R040M2H

功能描述

采用 TOLT 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 15:16:00

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IMLT65R040M2H规格书详情

描述 Description

TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V G2 利用 CoolSiC ™第二代一流的开关性能,此外还具备顶部冷却的所有优点。现在可以补充已经与 CoolSiC ™和 CoolMOS ™一起使用的 QDPAK,以实现完全分立的顶部冷却解决方案,从而获得更好的热性能、系统成本降低和简化以及更便宜的组装。

特性 Features

• 优异的品质因数 (FOM)

• 高稳健性和整体质量

• 灵活的驱动电压范围

• 支持单极驱动(VGS(off)=0)

• 更低的热阻

• 改进了与 .XT 的封装互连

• 顶部冷却

应用 Application

• 储能系统

技术参数

  • 制造商编号

    :IMLT65R040M2H

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :40 mΩ

  • RthJCmax

    :0.56 K/W

  • VDSmax

    :650 V

  • Package

    :TOLT

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ G2

  • Polarity

    :N

  • Qualification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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