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IMBG65R260M1H数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
IMBG65R260M1H |
| 参数属性 | IMBG65R260M1H 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | SiC MOSFET in compact SMD package |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | IMBG65R260M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMBG65R260M1H规格书详情
特性 Features
优势:
• High performance, high reliability and ease of use
• Enable high system efficiency and power density
• Reduces system cost and complexity
• Enable cheaper, simpler and smaller systems
• Works in topologies with continuous hard commutation
• Fit for high temperature and harsh operations
• Enables bi-directional topologies
应用 Application
• Server
• Telecom
• SMPS
• Solar energy systems
• Energy storage and battery formation
• UPS
• EV charging
• Motor drives
简介
IMBG65R260M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IMBG65R260M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号：
IMBG65R260M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
FUJITSU |
23+ |
TO-3PL |
32642 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
20+ |
- |
1000 |
询价 | |||
FUJITSU/富士通 |
22+ |
TO-3PL |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
FUJI/富士电机 |
23+ |
TO-3PL |
58000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
9960 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
原厂 |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
