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IRF350	文件：59.63 Kbytes Page：7 Pages	15A,400V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower. They	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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IRF350	文件：43.18 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF350	文件：49.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF350	文件：91.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFC350	文件：45.43 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFM350	文件：20.74 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM350	文件：203.26 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315Ω14A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：212.67 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=0.315ohm,Id=14A) RDS(on)0.315Ω ID14A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
IL350T
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
隔离器 > 光隔离器 - 晶体管，光电输出
包装：
管件
电压 - 隔离：
3000Vrms
上升/下降时间（典型值）：
350µs，-
输入类型：
DC
输出类型：
光伏，线性化
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.8V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOP（0.220"，5.60mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
OPTOISO 3KV PHVOLT 8SOP

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