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IKW30N65WR5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKW30N65WR5
厂商型号

IKW30N65WR5

参数属性

IKW30N65WR5 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3

功能描述

IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

342.74 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-5 15:04:00

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IKW30N65WR5规格书详情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.9V@IC=60A

· LowEMI

· High ruggedness

APPLICATIONS

· PFC

· Welding

· ZCS-converters

产品属性

  • 产品编号:

    IKW30N65WR5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    990µJ(开),330µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    39ns/367ns

  • 测试条件:

    400V,15A,26 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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