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IKW03N120H2中文资料HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IKW03N120H2

参数属性

IKW03N120H2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:58:00

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IKW03N120H2规格书详情

描述 Description

• Designed for:
   - SMPS
   - Lamp Ballast
   - ZVS-Converter
• 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers:
   - loss reduction in resonant circuits
   - temperature stable behavior
   - parallel switching capability
   - tight parameter distribution
   - Eoff optimized for IC =3A
• Complete product spectrum and PSpice Models : //www.infineon.com/igbt/

简介

IKW03N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IKW03N120H2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    290µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    9.2ns/281ns

  • 测试条件:

    800V,3A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-3P
5000
全新原装正品,现货销售
询价
Infineon
24+
TO-247
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-247
60100
郑重承诺只做原装进口现货
询价
INFINEON
17+
TO-3P
6200
100%原装正品现货
询价
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
INFINEON
1708+
TO-247
8500
只做原装进口,假一罚十
询价
INFINEON
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
询价
INFINEON/英飞凌
2447
TO-247
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ADI
23+
TO247
7000
询价