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IKFW40N60DH3E中文资料600 V、30 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IKFW40N60DH3E

参数属性

IKFW40N60DH3E 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 34A TO247-3

功能描述

600 V、30 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装
IGBT TRENCH/FS 600V 34A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 16:38:00

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IKFW40N60DH3E规格书详情

描述 Description

硬开关 600 V、30 A 高速 TRENCHSTOP ™ IGBT3 与 Rapid 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 先进隔离封装中,以实现最佳成本效益解决方案。

特性 Features

• 短路耐受时间 5μs
• 正温度系数
• 低 EMI
• 非常柔软的反并联二极管
• 最高结温 175°C
• 2500 VRMS电气隔离
• 100% 测试的隔离安装表面
• 无铅镀铅;符合 RoHS 标准
• 符合工业应用要求

应用 Application

• 家用电器

简介

IKFW40N60DH3E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKFW40N60DH3E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IKFW40N60DH3E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Eon

    :0.87 mJ

  • IC(@25°) max

    :34 A

  • ICpulsmax

    :90 A

  • IFmax

    :35 A

  • IFpulsmax

    :90 A

  • Irrm

    :9.9 A

  • Ptotmax

    :111 W

  • QGate

    :107 nC

  • Qrr

    :0.4 nC

  • RGint

    :0 Ω

  • RG

    :10 Ω

  • td(off)

    :144 ns

  • td(on)

    :18 ns

  • tf

    :16 ns

  • tr

    :34 ns

  • VCE(sat)

    :2.3 V

  • VCEmax

    :600 V

  • VF

    :1.6 V

  • Package

    :PG-TO247-3

  • Switching Frequency

    :18 kHz to 60 kHz

  • Technology

    :IGBT HighSpeed 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
PG-HSIP247-3
6820
只做原装,质量保证
询价
Infineon/英飞凌
23+
PG-HSIP247-3
10000
原装正品,支持实单
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
Infineon(英飞凌)
2447
PG-HSIP247-3
115000
240个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
询价
INFINEON
23+
N/A
8000
只做原装现货
询价
INFINEON
23+
N/A
7000
询价
Infineon/英飞凌
2025+
PG-HSIP247-3
8000
询价
Infineon Technologies
2022+
PG-TO247-3-AI
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
Infineon/英飞凌
2022+
PG-HSIP247-3
48000
只做原装,绝对原装,假一罚十
询价