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NDF06N60Z	文件：124.47 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDP06N60Z	文件：372.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IKD06N60RF
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252
功能描述：
IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
功能描述：
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IKD06N60RF供应商更新时间2025-5-12 13:38:00

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