| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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INFINEON英飞凌TO-252 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 |
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10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
6000 |
24+ |
原装正品可追溯至原厂 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
19800 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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17年
留言
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INFINEONTO252 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-3 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-3 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEONTO252 |
72411 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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4年
留言
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INFINEONVQFN |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEONTO-252 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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6年
留言
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IR明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
25+ |
TO-252-3 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-3 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
125000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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12年
留言
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IRTO-252 |
10980 |
23+ |
全新原装正品现货可开票 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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2年
留言
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INFINEOTO-252 |
6299 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销IGBT管 |
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IKD06N60RF价格
IKD06N60RF价格:¥3.5846品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IKD06N60RF多少钱,想知道IKD06N60RF价格是多少?参考价:¥3.5846。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IKD06N60RF批发价格及采购报价,IKD06N60RF销售排行榜及行情走势,IKD06N60RF报价。
IKD04N60RF资讯
IKD04N60RF中文资料Alldatasheet PDF
更多IKD03N60RF功能描述:IGBT 晶体管 TRENCH RC Drives Fast 600V 2.5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD03N60RFATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
IKD03N60RFBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 2.5A 53.6W TO252-3
IKD04N60R功能描述:IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD04N60RAATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
IKD04N60RATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3
IKD04N60RF功能描述:IGBT 晶体管 TRENCH RC Drive Fast 600V 4A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IKD04N60RFATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RFBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 4A 75.0W TO252-3




































