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IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.16ohm,Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount,FastSwitching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •FastSwitching •Eas	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL014PBF	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL014TR	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL014TR	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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