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IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
KSM3315	文件：667.13 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LANE3315NDH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LANE3315NH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL

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深圳市河锋鑫科技有限公司	IIRFB42N200	IR	22+	TO-220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	IIRFR9220TRLPBF	VISHAY/威世	24+	TO-252	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IIRLR3105	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多IIRF3315供应商更新时间2025-7-19 14:01:00

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