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AUIRF3315S

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

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IRF

AUIRF3315S

AUTOMOTIVE GRADE

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INFINEON

英飞凌

AUIRF3315STRL

AUTOMOTIVE GRADE

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INFINEON

英飞凌

AUIRF3315STRL

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

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IRF

AUIRF3315STRR

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

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IRF

AUIRF3315S

汽车Q101 150V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅,符合 RoHS\n• 通过汽车认证;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • RDS (on)(@10V) max:

    82.0mΩ

  • QG(typical) :

    63.3nC 

  • VDS max:

    150.0V

  • ID  max:

    15.0A

  • ID (@ TC=100°C) max:

    15.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    21.0A

  • RthJC max:

    1.6K/W

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    3.8W

  • Ptot max:

    94.0W

  • Qgd :

    31.3nC 

  • Tj max:

    175.0°C

  • Mounting :

    SMD

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Polarity :

    N

  • VGS max:

    20.0V

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更多AUIRF3315S供应商 更新时间2026-1-26 16:10:00