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IIPD70R600CE	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.6Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：336.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPAW70R600CE	文件：1.00042 Mbytes Page：14 Pages	700V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：1.00042 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70R600CE	文件：988.45 Kbytes Page：14 Pages	700V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：988.45 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70R600CE	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast switching • Very high commutation ruggedness • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.6Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：336.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多IIPD70R600CE供应商更新时间2025-10-11 15:04:00