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IIPD096N08N3	文件：337.15 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD096N08N3	文件：337.15 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD096N08N3G	文件：360.65 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for high frequency switching 文件：360.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD096N08N3G	文件：212.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target applications 文件：212.85 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IIPD096N08N3供应商更新时间2025-10-13 17:31:00