IHW30N140R5L中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IHW30N140R5L
功能描述	Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode
丝印标识	H30QR5L
封装外壳	PG-TO247-3-STD-NN2.5
文件大小	1.50974 Mbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-2 16:13:00
人工找货	IHW30N140R5L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• VCE = 1400 V

• IC = 30 A

• Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only

• Very tight parameter distribution

• High ruggedness, temperature stable behavior

• Very low VCEsat

• Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

• Low EMI

• Qualified according to JESD-022 for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen free (according to IEC 61249-2-21)

• Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	IHW30N160R2	INFINEON	24+	PG-TO247-3	8866		询价