IGZ75N65H5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能，英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感，使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。

特性 Features

• 极低的控制电感环路
• 用于驱动器反馈的发射极引脚
• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离
• 与采用相同技术的 TO-247 封装相比，总开关损耗降低 20％

优势:
• 与标准TO-247相比，系统效率得到提高
• 高电流条件下的效益增加
• IGBT在较低的结温度下工作
• 过电流条件下的功耗更小

应用 Application

• 不间断电源
• 数据中心
• 通信整流器
• 光伏逆变器
• 服务器

简介

IGZ75N65H5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGZ75N65H5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。