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IGW50N65H5FKSA1	文件：2.00184 Mbytes Page：14 Pages	Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowQG •Maximumjunctiontemperature175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplati 文件：2.00184 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IGW50N65H5FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 80A TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IGW50N65H5FKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，50A
开关能量：
520µJ（开），180µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/180ns
测试条件：
400V，25A，12 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
IGBT 650V 80A TO247-3

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