IGW03N120H2中文资料分立式IGBT数据手册Infineon规格书

描述 Description

Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies.

特性 Features

· Loss reduction in resonant circuits
· Temperature stable behavior
· Parallel switching capability
· Tight parameter distribution
· E off optimized for IC =1A

应用 Application

  · SMPS

简介

IGW03N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IGW03N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。