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IGT65R055D2中文资料CoolGaN ™晶体管 650 V G5数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IGT65R055D2

功能描述

CoolGaN ™晶体管 650 V G5

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:30:00

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IGT65R055D2规格书详情

描述 Description

IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分,它符合最高质量标准,可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 TOLL 封装,旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。

特性 Features

• 650 V e-mode 功率晶体管
• 超快速开关
• 无反向恢复电荷
• 具有反向传导能力
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向稳定性
• 低动态 RDS(on)
• 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM
• 底部冷却封装
• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)

应用 Application

• 电动汽车充电

技术参数

  • 制造商编号

    :IGT65R055D2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpuls(@25°C) max

    :60 A

  • QG

    :4.7 nC

  • RDS (on)(typ)

    :55 mΩ

  • RDS (on)max

    :66 mΩ

  • VDSmax

    :650 V

  • Mounting

    :SMT

  • Generation

    :G5

  • Qualification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SMD
23+
NA
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