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IGT65R055D2中文资料CoolGaN ™晶体管 650 V G5数据手册Infineon规格书
IGT65R055D2规格书详情
描述 Description
IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分,它符合最高质量标准,可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 TOLL 封装,旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。
特性 Features
• 650 V e-mode 功率晶体管
• 超快速开关
• 无反向恢复电荷
• 具有反向传导能力
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向稳定性
• 低动态 RDS(on)
• 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM
• 底部冷却封装
• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
应用 Application
• 电动汽车充电
技术参数
- 制造商编号
:IGT65R055D2
- 生产厂家
:Infineon
- IDpuls(@25°C) max
:60 A
- QG
:4.7 nC
- RDS (on)(typ)
:55 mΩ
- RDS (on)max
:66 mΩ
- VDSmax
:650 V
- Mounting
:SMT
- Generation
:G5
- Qualification
:Industrial
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
TE/泰科 |
2450+ |
DIP |
9850 |
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询价 | ||
ALCATEL |
25+23+ |
PLCC-84 |
45497 |
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询价 | ||
SANYO |
24+ |
SMD |
12860 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
GEN |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
GE |
05+ |
原厂原装 |
61 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ALCATEL |
2023+ |
PLCC84 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ALCATEL |
24+ |
PLCC84 |
17300 |
一级分销商,原装正品 |
询价 | ||
ALCATEL |
24+ |
PLCC-84 |
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