IGLD65R110D2中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IGLD65R110D2
功能描述	CoolGaN™ Gen2 650 V CoolGaN™ enhancement‑mode Power Transistor
丝印标识	65R110D2
封装外壳	PG-LSON-8
文件大小	811.43 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-9 22:59:00
人工找货	IGLD65R110D2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Enhancement mode transistor ‑ Normally OFF switch

• Ultra fast switching

• No reverse‑recovery charge

• Capable of reverse conduction

• Low gate charge, low output charge

• Superior commutation ruggedness

• ESD (HBM/CDM) JEDEC standards

Benefits

• Improves system efficiency

• Improves power density

• Enables highest operating frequency

• System cost reduction savings

• Reduces EMI

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