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LSU426	文件：280.07 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELJFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
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ML426RAT	文件：297.59 Kbytes Page：2 Pages	High-ReliabilityAirCoreInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
MRF426	文件：171.52 Kbytes Page：5 Pages	TheRFLineNPNSiliconRFPowerTransistor TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor ...designedforhighgaindriverandoutputlinearamplifierstagesin1.5to30MHzHF/SSBequipment. •Specified28Volt,30MHzCharacteristics— OutputPower=25W(PEP) MinimumGain=22dB Efficiency=35 •IntermodulationDisto	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
MRF426	文件：112.41 Kbytes Page：6 Pages	RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor ...designedforhighgaindriverandoutputlinearamplifierstagesin1.5to30MHzHF/SSBequipment. •Specified28Volt,30MHzCharacteristics— OutputPower=25W(PEP) MinimumGain=22dB Efficiency=35 •IntermodulationDisto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF426	文件：273.24 Kbytes Page：7 Pages	TheRFLineNPNSiliconPowerTransistor25W(PEP),30MHz,28V Designedforhighgaindriverandoutputlinearamplifierstagesin1.5to30MHzHF/SSBequipment. •Specified28V,30MHzcharacteristics— Outputpower=25W(PEP) Minimumgain=22dB Efficiency=35 •Intermodulationdistortion@25W(PEP)—IMD=–30dB(max) •100testedfo	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF426	文件：253.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF426isDesignedforhighgainamplifierapplicationsupto30MHz. FEATURES: •PG=22dBmin.at25W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at25W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem •Availableasmatchedpairs.	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
IFN426
制造商：
INTERFET
制造商全称：
INTERFET
功能描述：
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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