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IRFR2405PBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR2405PBF	文件：3.83412 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2405PBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFR2405PBF	文件：3.82933 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)StraightLead(IRFU2405)AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2405PbF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR2405TR	文件：460.34 Kbytes Page：7 Pages	55VN-ChannelMOSFET Description AdvancedProcessTechnology Dynamicdv/dtRating FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=55V ID=34A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR2405TRPBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFR2405TRPBF	文件：1.09103 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFRSLASHU2405	文件：1.61391 Mbytes Page：8 Pages	SurfaceMount(IRFR2405) Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ●Surf	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405	文件：129.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.016ohm,Id=56A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IE2405DH
功能描述：
Analog IC

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更多IE2405DH供应商更新时间2025-6-6 18:28:00

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