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IRFR1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205	文件：334.65 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR1205	文件：912.29 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. •Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1205	文件：1.14541 Mbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=55V ID=44A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR1205PBF	文件：397.83 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1205PBF	文件：4.00508 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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详细参数

型号：
IE1205S-H
制造商：
XP Power
功能描述：
CONVERTER DC/DC 1W 5V
功能描述：
CONVERTER, DC/DC, 1W, 5V

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