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IDV30E65D2中文资料采用 TO-220 FullPAK 封装的 650 V 硅功率二极管数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDV30E65D2

参数属性

IDV30E65D2 封装/外壳为TO-220-2 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

功能描述

采用 TO-220 FullPAK 封装的 650 V 硅功率二极管
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

封装外壳

TO-220-2 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-5 17:30:00

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IDV30E65D2规格书详情

描述 Description

采用 TO-220 FullPAK 封装的 Rapid 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。

特性 Features

• 最低反向恢复电荷 Qrr
• 低反向恢复时间 (trr)
• 升压开关上的最低损耗

应用 Application

• 家用电器

简介

IDV30E65D2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDV30E65D2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDV30E65D2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IF

    :17.5 A

  • IRmax

    :40 µA

  • Irrm

    :5.7 A

  • Ptotmax

    :47 W

  • Qrr

    :0.25 µC

  • RthJCmax

    :3.2 K/W

  • trr

    :70 ns

  • VF

    :1.6 V

  • Mounting

    :THT

  • Package

    :TO-220

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 175 °C

  • Voltage Classmax

    :650 V

  • Configuration

    :Single

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