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IDV30E65D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 FullPAK 封装的 650 V 硅功率二极管采用 TO-220 FullPAK 封装的 Rapid 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。 • 最低反向恢复电荷 Qrr\n• 低反向恢复时间 (trr)\n• 升压开关上的最低损耗;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDV30E65D2	文件：1.77113 Mbytes Page：11 Pages	Emitter Controlled Diode 文件：1.77113 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDV30E65D2XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2	Infineon 英飞凌	Infineon
IDP30E65D2	文件：1.72502 Mbytes Page：10 Pages	Emitter Controlled Diode 文件：1.72502 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IF：
17.5 A
IRmax：
40 µA
Irrm：
5.7 A
Ptotmax：
47 W
Qrr：
0.25 µC
RthJCmax：
3.2 K/W
trr：
70 ns
VF：
1.6 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220
Operating Temperature：
-40 °C to 175 °C
Voltage Classmax：
650 V
Configuration：
Single

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