IDT71V65703S80BGG资料datasheet下载贸易商-114ic电子网

首页 >IDT71V65703S80BGG>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
71V65703S80BG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80BGG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80BQ	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80BQG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80BQGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80BQI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80PFG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V65703S80PFGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V65703S80BG	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65703S80BGI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65703S80BQ	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65703S80BQI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65703S80PF	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V65703S80PFI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71V65703S80BGG
功能描述：
IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
45
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
128K（8K x 16）
速度：
15ns
接口：
并联
电源电压：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x14）
包装：
托盘
其它名称：
70V25S15PF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IDT71V65703S80BGG	IDT	23+	119-PBGA(14x22)	24840	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	IDT71V65703S80BGG	IDT	22+	BGA	5000	全新原装现货!自家库存!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IDT71V65703S80BGG	IDT	22+	119PBGA (14x22)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IDT71V65703S80BGG	IDT	21+	119PBGA (14x22)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IDT71V65703S80BGG	IDT	23+	119PBGA (14x22)	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IDT71V65703S80BGI	IDT	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IDT71V65703S80BQ	IDT	23+	165BGA	9526		询价
深圳市兴灿科技有限公司	IDT71V65703S80BQ	IDT	23+	165-FBGA	2423	原装现货	询价

更多IDT71V65703S80BGG供应商更新时间2024-4-29 16:39:00

相关规格书

更多

相关库存

更多

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号