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IDT71V416YL12PHG	文件：84.81 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416YL12PHGI	文件：84.81 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416YL12BEG	文件：84.81 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416YL12BEGI	文件：84.81 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416YL12YG	文件：84.81 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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详细参数

型号：
IDT71V416YL12PHG
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

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