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IDT71V3556SA	文件：489.92 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs 文件：489.92 Kbytes 页数：25 Pages	IDT	IDT
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71V3556S	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36) (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Pos 文件：337.62 Kbytes 页数：29 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
IDT71V3556SA
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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