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IDT71V3556S

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Description The IDT71V3556/58 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMS. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, they have been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. Features

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IDT

IDT71V3556S

3.3V Synchronous ZBT SRAMs

文件:489.92 Kbytes 页数:25 Pages

IDT

IDT71V3556S_15

3.3V Synchronous ZBT SRAMs

文件:489.92 Kbytes 页数:25 Pages

IDT

IDT71V3556SA

3.3V Synchronous ZBT SRAMs

文件:489.92 Kbytes 页数:25 Pages

IDT

IDT71V3556S

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Renesas

瑞萨

IDT71V3556S100BG8

Package:119-BGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3556S100BGI

Package:119-BGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3556S100BGI8

Package:119-BGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

详细参数

  • 型号:

    IDT71V3556S

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 产品变化通告:

    Product Discontinuation 05/Nov/2008

  • 标准包装:

    84

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量:

    4.5M(128K x 36)

  • 速度:

    75ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商设备封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 包装:

    托盘

  • 其它名称:

    71V3557SA75BGI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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BGA
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119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V3556S供应商 更新时间2026-2-3 16:30:00