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IDT71V3556S	文件：1.01051 Mbytes Page：28 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Description TheIDT71V3556/58are3.3Vhigh-speed4,718,592-bit(4.5Mega-bit)synchronousSRAMS.Theyaredesignedtoeliminatedeadbuscycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesandreads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBTTM,orZeroBusTurnaround. Features	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V3556S	文件：489.92 Kbytes Page：25 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71V3556S100BG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V3556S	文件：337.62 Kbytes Page：29 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IDT71V3556XS	文件：489.92 Kbytes Page：25 Pages	3.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V3556XSA	文件：489.92 Kbytes Page：25 Pages	3.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

详细参数

型号：
IDT71V3556S
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 05/Nov/2008
标准包装：
84
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步 ZBT
存储容量：
4.5M（128K x 36）
速度：
75ns
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
119-BGA
供应商设备封装：
119-PBGA（14x22）
包装：
托盘
其它名称：
71V3557SA75BGI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IDT71V3556S供应商更新时间2024-4-30 16:36:00

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