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IDT71V3556S100BG

包装:托盘 封装/外壳:119-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

IDT71V3556S100BGI

包装:托盘 封装/外壳:119-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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IDT71V3556S100BGI8

包装:托盘 封装/外壳:119-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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71V3556S100PFG

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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71V3556S100PFGI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

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产品属性

  • 产品编号:

    IDT71V3556S100BG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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119-BGA
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更多IDT71V3556S100BG供应商 更新时间2024-4-27 16:30:00