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IDT70V639S12BC

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT70V639S12BCI

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

70V639S12BCG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

70V639S12BCG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12BCGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12BCGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12BFG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12BFG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12BFGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12PRFG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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70V639S12PRFG

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V639S12PRFGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V639S12PRFGI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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IDT70V639S12BF

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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IDT70V639S12BFI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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IDT70V639S12PRF

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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IDT70V639S12PRFI

HIGH-SPEED3.3V128Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

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IDT

详细参数

  • 型号:

    IDT70V639S12BC

  • 功能描述:

    IC SRAM 2.25MBIT 12NS 256BGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    8K(1K x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 线串口

  • 电源电压:

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装:

    8-SOIC

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IDT
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19960
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256-CABGA(17x17)
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更多IDT70V639S12BC供应商 更新时间2024-4-27 9:01:00