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70V639S12BFGI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

70V639S12BFGI
厂商型号

70V639S12BFGI

参数属性

70V639S12BFGI 封装/外壳为208-LFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

封装外壳

208-LFBGA

文件大小

705.64 Kbytes

页面数量

24

生产厂商 Integrated Device Technology, Inc.
企业简称

IDT

中文名称

Integrated Device Technology, Inc.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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产品属性

  • 产品编号:

    70V639S12BFGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    2.25Mb(128K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    208-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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