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IRHM7250	文件：271.02 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) InternationalRectifier’sRAD-HardTMHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeen	IRF International Rectifier	IRF
IRHM7250SE	文件：140.71 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) InternationalRectifier’sRADHardTMHEXFET®MOSFETtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshave	IRF International Rectifier	IRF
IRHMJ7250	文件：330.21 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(TO-254AATabless)	IRF International Rectifier	IRF
IRHMJ7250	文件：335.62 Kbytes Page：12 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHN7250	文件：587.02 Kbytes Page：14 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.10ohm,Id=26A) 200Volt,0.10Ω,MEGARADHARDHEXFET InternationalRectifier’sMEGARADHARDtechnologyHEXFETpowerMOSFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas1x106Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestcondi	IRF International Rectifier	IRF
IRHN7250	文件：1.6901 Mbytes Page：13 Pages	RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SMD-1)200V,26A,N-channel,RadHardHEXFET™Technology Features Singleeventeffect(SEE)hardened LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Electricallyisolated Ceramiceyelets Lightweight SurfaceMount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplications 	IRF International Rectifier	IRF
IRHN7250	文件：356.62 Kbytes Page：12 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHN7250SE	文件：127.48 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) InternationalRectifier’sRADHardTMHEXFET®MOSFETtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshave	IRF International Rectifier	IRF
IRHN7250SE	文件：128.43 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
L7250	文件：478.3 Kbytes Page：46 Pages	5V&12VSPINDLEANDVCMMOTORSDRIVER DESCRIPTION L7250isapowerICfordrivingtheSPINDLEandVCMmotors,suitablefor5V&12Vapplication.ThespindlesystemincludesintegratedpowerFETswhicharedrivenusingSTsSmoothdrivepseudo-sinusoidalcommutationtechnology.Thevoicecoilmotor(VCM)systemincludesintegratedp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
ICM7250IPE
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 可编程定时器和振荡器
包装：
托盘
类型：
计数器/计时器电路（CTC），二进制
计数：
1 ~ 99
频率：
15MHz
电压 - 供电：
2V ~ 16V
工作温度：
-20°C ~ 85°C
封装/外壳：
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
16-PDIP
安装类型：
通孔
描述：
IC OSC BINARY CTC 15MHZ 16DIP

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