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IRFD224	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD224PBF	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD224PBF	文件：918.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)=1.1廓,ID=0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1Ω ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD224PBF	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFM224B	文件：705.97 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR224	文件：175.21 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR224	文件：853.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR224	文件：3.37075 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR224	文件：331.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR224	文件：3.37389 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IBS224
功能描述：
Analog IC

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