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IRLML0030TR

丝印:IBR75;Package:SOT-23;Lower switching losses

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件:444.86 Kbytes 页数:8 Pages

UMW

友台半导体

IRLML0030TR

丝印:IBR75;Package:SOT-23;MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件:379.02 Kbytes 页数:8 Pages

EVVOSEMI

翊欧

详细参数

  • 型号:

    IBR75

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IBR75供应商 更新时间2025-9-21 15:01:00