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SIHA20N50E	文件：164.12 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB20N50E	文件：208.39 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHB20N50E	文件：322.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB20N50E	文件：201.21 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SiHFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFB20N50K	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •LowRDS(on) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	HighPeakCurrentCapability FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •HighPeakCurrentCapability •dV/dtRuggedness •ImprovedTrr/Qrr •ImprovedGateCharge •HighPowerDissipationsCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG20N50E	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG20N50E	文件：444.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG20N50E	文件：176.86 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHH20N50E	文件：148.84 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHP20N50E	文件：328.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP20N50E	文件：159.14 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHS20N50C	文件：152.72 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerDissipationsCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SK20N50A-T	文件：2.1895 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK20N50A-TF	文件：2.1895 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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更多I20N50供应商更新时间2024-5-13 16:07:00

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