| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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HARRISTO220 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-220A |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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HARRISTO220 |
3500 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
198 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IR 墨西哥TO-220 |
1483 |
14+13+ |
只做原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
2000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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16000 |
21+ |
TO-220-3 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
14136 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
19911 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
4000 |
22+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳万励电子科技有限公司2年
深圳万励电子科技有限公司
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6000 |
21+/22+ |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60573 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
2000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
9248 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
IRF820采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF820图片
IRF820PBF价格
IRF820PBF价格：￥1.9518品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF820PBF多少钱，想知道IRF820PBF价格是多少？参考价：￥1.9518。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF820PBF批发价格及采购报价，IRF820PBF销售排行榜及行情走势，IRF820PBF报价。
IRF820STRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF820功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820_R4943功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820-220制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-220FP制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-251制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-252制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820A功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820AL功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820ALPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF820APBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
