| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRSOP8 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装,公司现货供应IRF7313TRPBF,正品现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEON/IRSOP8 |
16000 |
23+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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WQFN48 |
9000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
12070 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOIC-8 |
16554 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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IRSOP8 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
5792 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP-8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
9500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
18253 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONSOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRSOIC8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRSMD |
1600 |
0221+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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IRF7313TRPBF价格
IRF7313TRPBF价格：￥1.0769品牌：International
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IRF7313TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF731制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MOSFET TO-220AB N-CH350V 5.5A 75W GDS*SS 制造商:Harris Corporation
IRF7311HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.6A 8PIN SO - Rail/Tube
IRF7311PBF功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7311TR功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7311TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF7311TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7313HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7313PBF功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
