| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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IRTO-263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-263 |
256 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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INFINEON原封 □ |
21500 |
23+ |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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IRSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳兆威电子有限公司5年
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IRD2PAK |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
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原厂TO-220 |
20000 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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IRTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
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5000 |
22+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRTO-262 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
IRF1405Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1405Z图片
IRF1405ZSTRL7PP价格
IRF1405ZSTRL7PP价格：￥13.2432品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF1405ZSTRL7PP多少钱，想知道IRF1405ZSTRL7PP价格是多少？参考价：￥13.2432。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1405ZSTRL7PP批发价格及采购报价，IRF1405ZSTRL7PP销售排行榜及行情走势，IRF1405ZSTRL7PP报价。
IRF1405Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1405Z功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF1405ZL功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZL-7PPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZS功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZS-7P功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZS-7PPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1405ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
