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HYG850P10LR1D数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG850P10LR1D

功能描述

P MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 20:00:00

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HYG850P10LR1D规格书详情

描述 Description

此器件为-100V、76mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件应用在防盗报警器、保护板等应用领域。

特性 Features

符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺

应用 Application

防盗报警器、保护板

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG850P10LR1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :-26

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :100

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :110

  • PD@TC=25℃ (W)

    :139

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :-1.3~-2.7

  • Ciss Typ(pF)

    :2656

  • Qg Typ(nC)

    :53

  • Configuration

    :Single - P

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :电池保护板 / 防盗报警器

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