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HYG650N10LS1C2数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG650N10LS1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 19:00:00

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HYG650N10LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为100V、52mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合DC-DC、LED电源等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG650N10LS1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :15

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :65

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :23.8

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :440

  • Qg Typ(nC)

    :8.4

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :DC-DC / 电源

  • Status

    :MP

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