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HYG060N08NS1B中文资料SGT MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG060N08NS1B规格书详情
描述 Description
此器件为80V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
:HYG060N08NS1B
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:105
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:6
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
:N/A
- PD@TC=25℃ (W)
:125
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:2~4
- Ciss Typ(pF)
:2950
- Qg Typ(nC)
:48
- Configuration
:Single - N
- Package
:TO-263-2L
- Application
:电池保护板 / 电机驱动
- Status
:MP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HY |
21+ |
TO-263 |
400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HY |
24+ |
TO-252 |
17500 |
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-263-2L |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
HY |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
HUAYI/华羿微 |
25+ |
TO-263-2L |
5000 |
一级代理 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
25+ |
TO-252-2 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
HY |
25+ |
TO-252 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
HUAYI(华羿微) |
2025+ |
TO-252-2 |
20876 |
询价 | |||
HY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
华羿微 |
23+ |
PPAK5*6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |