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HYG060N08NS1B中文资料SGT MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG060N08NS1B

功能描述

SGT MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:28:00

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HYG060N08NS1B规格书详情

描述 Description

此器件为80V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG060N08NS1B

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :105

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :6

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :125

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :2950

  • Qg Typ(nC)

    :48

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-2L

  • Application

    :电池保护板 / 电机驱动

  • Status

    :MP

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