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HY4N60D

600V / 4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:166.81 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

HY4N60T

600V / 4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:107.57 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

I4N60

4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. Features ● Fast Switching ● ESD Improved Capability ●

文件:1.3059 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

IRF4N60

POWER MOSFET

文件:162.01 Kbytes 页数:4 Pages

SUNTAC

详细参数

  • 型号:

    HY4N60D

  • 制造商:

    HY

  • 制造商全称:

    HY ELECTRONIC CORP.

  • 功能描述:

    600V/4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更多HY4N60D供应商 更新时间2024-3-26 15:06:00