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HY4N60T	文件：107.57 Kbytes Page：4 Pages	600V / 4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRF4N60	文件：162.01 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF4N60	文件：127.83 Kbytes Page：3 Pages	4.0A600VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF4N60FP	文件：162.01 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF4N60FP	文件：457.9 Kbytes Page：3 Pages	4.0A600VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IXFP4N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA4N60P	文件：147.08 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTP4N60P	文件：147.08 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP4N60P	文件：295.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
HY4N60T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
600V/4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳庞田科技有限公司	HY4N-AC100V	RIKO	2023+环保现货	专业继电器	6800	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	HY-4PLTPZ		24+	N/A	70000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多HY4N60T供应商更新时间2024-3-26 15:06:00

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