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HY1908B

丝印:HY1908B;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

文件:4.08583 Mbytes 页数:15 Pages

HOOYI

后羿半导体

HY1908B

丝印:HY1908B;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更多HY1908B供应商 更新时间2025-9-21 16:36:00